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Ressource documentaire
| L'épitaxie par jets moléculaires (en Français) | |||
Droits : Droits réservés à l'éditeur et aux auteurs Auteur(s) : INPL Nancy, INPL Nancy 01-01-2006 Description : Le film présente la réalisation de couches minces monocristallines avec l'aide d'une machine d'épitaxie par jets moléculaires (MBE Molecular Beam Epitaxy). Dans une première partie est expliqué le principe du dépôt permettant la croissance de couches minces épitaxiées. Ensuite l'obtention d'un vide poussé est justifié par l'utilisation de jets moléculaires et les différentes chambres de l'appareil sont présentées. Une troisième partie permet de préciser comment est contrôlée la qualité de la croissance des couches : la technique de diffraction d'électrons de haute énergie par réflexion (RHEED Reflexion High Energy Diffraction) permet de caractériser le dépôt couche par couche ; la microscopie par effet tunnel (STM Scanning Tuneling Microscopy) permet de visualiser directement la surface du dépôt.GénériqueLE LABORATOIRE DE PHYSIQUE DES MATERIAUX présente : L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES Une vidéo LPM-UHP-INPL Nancy Scénario : Stéphane ANDRIEU : LPM Nancy François MARRON : Cellule TICE-INPL Marie-Odile SELME : Ecole des Mines Nancy Muriel SICOT : LPM Nancy Animations : François MARRON Images et montage : Jean-Pierre AVOIS Réalisation : Cellule TICE - INPL Nancy Mots-clés libres : épitaxie | TECHNIQUE Type : image en mouvement Format : video/x-flv Source(s) : rtmp://streamer2.cerimes.fr/vod/canalu/videos/science/1085566397 | ||
Entrepôt d'origine : Canal-U - OAI Archive Identifiant : oai:canal-u.fr:83486 Type de ressource : Ressource documentaire | |||
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Ressource pédagogique
| L'épitaxie par jets moléculaires (en Français) | |||||||
Identifiant de la fiche : 83486 Schéma de la métadonnée : LOMv1.0, LOMFRv1.0 Droits : libre de droits, gratuit Droits réservés à l'éditeur et aux auteurs Auteur(s) : INPL NANCY Éditeur(s) : INPL Nancy 01-01-2006 Description : Le film présente la réalisation de couches minces monocristallines avec l'aide d'une machine d'épitaxie par jets moléculaires (MBE Molecular Beam Epitaxy). Dans une première partie est expliqué le principe du dépôt permettant la croissance de couches minces épitaxiées. Ensuite l'obtention d'un vide poussé est justifié par l'utilisation de jets moléculaires et les différentes chambres de l'appareil sont présentées. Une troisième partie permet de préciser comment est contrôlée la qualité de la croissance des couches : la technique de diffraction d'électrons de haute énergie par réflexion (RHEED Reflexion High Energy Diffraction) permet de caractériser le dépôt couche par couche ; la microscopie par effet tunnel (STM Scanning Tuneling Microscopy) permet de visualiser directement la surface du dépôt.GénériqueLE LABORATOIRE DE PHYSIQUE DES MATERIAUX présente : L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES Une vidéo LPM-UHP-INPL Nancy Scénario : Stéphane ANDRIEU : LPM Nancy François MARRON : Cellule TICE-INPL Marie-Odile SELME : Ecole des Mines Nancy Muriel SICOT : LPM Nancy Animations : François MARRON Images et montage : Jean-Pierre AVOIS Réalisation : Cellule TICE - INPL Nancy Mots-clés libres : épitaxie
| PEDAGOGIQUE Type pédagogique : cours / présentation Niveau : enseignement supérieur, master TECHNIQUE Type de contenu : image en mouvement Format : video/x-flv Taille : 53.06 Mo Durée d'exécution : 15 minutes 16 secondes RELATIONS Cette ressource fait partie de : | ||||||
Entrepôt d'origine : Canal-U - OAI Archive Identifiant : oai:canal-u.fr:83486 Type de ressource : Ressource pédagogique | |||||||
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